矽鍺為矽半導體加鍺元素，在高頻環境下，較矽晶具有較佳的低雜訊及低功率損耗優點；相較於砷化鎵（GaAs），矽鍺有較優的高集積度、高電子傳導頻率，及製造良率較高的優勢；另外，矽鍺製程技術可與CMOS技術可相容並整合，也可整合FET與Bipolar。不過，SiGe其崩潰電壓（Breakdown Voltage）低（低於5V，一般的電子元件需要15V）。

就應用層面而言，SiGe可應用在Bluetooth、功率放大器、行動電話、RF IC、SoC或光纖骨幹網路SONET介面IC。