電子/半導體

SOI　Silicon on Insulator。絕緣層上覆矽。

SOI 技術是由IBM研發成功，主要是在矽晶片下添增氧化物的絕緣層，避免電氣效應，以降低電源消耗，減少電流的流失，加快IC的處理速度。SOI技術可應用在需要較低電源消耗的設備上，如行動電話、手錶等，為了能充分發揮SOI高速作業的特點，目前也積極朝高頻率IC應用發展。